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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NVLUS4C12NTAG
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3413188Immagine NVLUS4C12NTAG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVLUS4C12NTAG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVLUS4C12NTAG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVLUS4C12NTAG.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-UDFN (2x2)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9 mOhm @ 9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    630mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    NVLUS4C12NTAG-ND
    NVLUS4C12NTAGOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    23 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1172pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    3.3V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 6.8A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.8A (Ta)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
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