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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > MT3S20P(TE12L,F)
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5179474Immagine MT3S20P(TE12L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT3S20P(TE12L,F)
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    12V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PW-MINI
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.8W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • Altri nomi
    MT3S20P(TE12LF)TR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    16.5dB
  • Frequenza - transizione
    7GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1.8W Surface Mount PW-MINI
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 50mA, 5V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    80mA
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Descrizione: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Descrizione: PARALLEL/PSRAM 80M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Descrizione: PARALLEL/PSRAM 48M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Descrizione: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Descrizione: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Descrizione: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Descrizione: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3B30C4

MT3B30C4

Descrizione: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Descrizione: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3B6115

MT3B6115

Descrizione: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3B3024

MT3B3024

Descrizione: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Descrizione: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Produttori: Micron Technology
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