International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ100N03MSGATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSZ100N03MSGATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSZ100N03MSGATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

9.1 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 30W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

BSZ100N03MSGATMA1DKR
BSZ100N03MSGINDKR
BSZ100N03MSGINDKR-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 40A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "BSZ100N03MSGATMA1".

BSZ110N08NS5ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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