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3960203Immagine BSZ120P03NS3EGATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ120P03NS3EGATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSZ120P03NS3EGATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSZ120P03NS3EGATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.1V @ 73µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TSDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.1W (Ta), 52W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    BSZ120P03NS3E G
    BSZ120P03NS3E G-ND
    BSZ120P03NS3EGATMA1TR
    SP000709730
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3360pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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