International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ110N08NS5ATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSZ110N08NS5ATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSZ110N08NS5ATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.8V @ 22µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8-FL
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

11 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

BSZ110N08NS5ATMA1CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 40A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Notizie correlate
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BSZ12DN20NS3GATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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