International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ105N04NSGATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSZ105N04NSGATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSZ105N04NSGATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 14µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

10.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 35W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

BSZ105N04NS G
BSZ105N04NSG
BSZ105N04NSGATMA1TR
BSZ105N04NSGINTR
BSZ105N04NSGINTR-ND
BSZ105N04NSGXT
SP000388301
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 40A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "BSZ105N04NSGATMA1".

BSZ0994NSATMA1

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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