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3618693Immagine HP8S36TB.LAPIS Semiconductor

HP8S36TB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HP8S36TB
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.HP8S36TB.pdf
    2.HP8S36TB.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.4 mOhm @ 32A, 10V
  • Potenza - Max
    29W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    HP8S36TBDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6100pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    47nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    27A, 80A

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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