Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SCT3060ALGC11
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
501673Immagine SCT3060ALGC11.LAPIS Semiconductor

SCT3060ALGC11

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$10.35
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    SCT3060ALGC11
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET NCH 650V 39A TO247N
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SCT3060ALGC11.pdf
    2.SCT3060ALGC11.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.6V @ 6.67mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Tecnologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    78 mOhm @ 13A, 18V
  • Dissipazione di potenza (max)
    165W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    852pF @ 500V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 18V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 39A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    39A (Tc)

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "SCT3060ALGC11".
SCT3EBEIGE

SCT3EBEIGE

Descrizione: TB DIN 3DECK 24A 300V 12AWG 20PC

Produttori: B+B SmartWorx, Inc.
In magazzino
RFQ
SCT2H12NZGC11

SCT2H12NZGC11

Descrizione: MOSFET N-CH 1700V 3.7A

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

Descrizione: 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT3022ALGC11

SCT3022ALGC11

Descrizione: MOSFET NCH 650V 93A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT3030KLGC11

SCT3030KLGC11

Descrizione: MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT3BEIGE

SCT3BEIGE

Descrizione: TB DIN 3DECK 24A 300V 12AWG 20PC

Produttori: B+B SmartWorx, Inc.
In magazzino
RFQ
SCT4/0-1/0

SCT4/0-1/0

Descrizione: CONN T-SPLICE TAP 4/0AW-1/0AWG

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
SCT350-350

SCT350-350

Descrizione: CONN T-SPLICE TAP 350 MCM CRIMP

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
SCT4/0-4/0

SCT4/0-4/0

Descrizione: CONN T-SPLICE TAP 4/0 AWG CRIMP

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
SCT300-300

SCT300-300

Descrizione: CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
SCT3160KLGC11

SCT3160KLGC11

Descrizione: MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT3080ALGC11

SCT3080ALGC11

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 30A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT3120ALGC11

SCT3120ALGC11

Descrizione: MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT3040KLGC11

SCT3040KLGC11

Descrizione: MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT2450KEC

SCT2450KEC

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

Descrizione: 1700V .75 OHM 6A SIC FET

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11

Descrizione: MOSFET NCH 650V 70A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT30N120

SCT30N120

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

Produttori: STMicroelectronics
In magazzino
RFQ
SCT3080KLGC11

SCT3080KLGC11

Descrizione: MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
SCT250-250

SCT250-250

Descrizione: CONN T-SPLICE TAP 250 MCM CRIMP

Produttori: Panduit
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.