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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SCT3030KLGC11

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Immagine SCT3030KLGC11.

LAPIS Semiconductor

SCT3030KLGC11

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Specifiche

Modello di prodotti

SCT3030KLGC11
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.SCT3030KLGC11.pdf
2.SCT3030KLGC11.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5.6V @ 13.3mA
Vgs (Max)

+22V, -4V
Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247N
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

39 mOhm @ 27A, 18V
Dissipazione di potenza (max)

339W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2222pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

131nC @ 18V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

18V
Tensione drain-source (Vdss)

1200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1200V 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

72A (Tc)

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