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3150969Immagine SCT3030ALGC11.LAPIS Semiconductor

SCT3030ALGC11

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SCT3030ALGC11
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET NCH 650V 70A TO247N
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SCT3030ALGC11.pdf
    2.SCT3030ALGC11.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.6V @ 13.3mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Tecnologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    39 mOhm @ 27A, 18V
  • Dissipazione di potenza (max)
    262W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1526pF @ 500V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    104nC @ 18V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 70A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

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Pagamento
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Descrizione: 1700V .75 OHM 6A SIC FET

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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SCT3080ALGC11

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: Panduit
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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: Panduit
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: MOSFET NCH 650V 39A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: MOSFET NCH 650V 93A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: STMicroelectronics
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Descrizione: MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Produttori: LAPIS Semiconductor
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