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3565977Immagine SCT3120ALGC11.LAPIS Semiconductor

SCT3120ALGC11

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SCT3120ALGC11
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET NCH 650V 21A TO247N
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SCT3120ALGC11.pdf
    2.SCT3120ALGC11.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.6V @ 3.33mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Tecnologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    156 mOhm @ 6.7A, 18V
  • Dissipazione di potenza (max)
    103W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    460pF @ 500V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 18V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)

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