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5110140Immagine APT75GT120JU2.Microsemi

APT75GT120JU2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT75GT120JU2
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 100A 416W SOT227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT75GT120JU2.pdf
    2.APT75GT120JU2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 75A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    416W
  • Contenitore / involucro
    ISOTOP
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    5.34nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    5mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100A
  • Configurazione
    Single

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Spedizione
Pagamento
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Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT75GN60LDQ3G

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Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

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Descrizione: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

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Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

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Descrizione: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Produttori: Microsemi
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