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MRF5812GR1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MRF5812GR1
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MRF5812GR1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    15V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.25W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    MRF5812GR1MITR
    MRF5812GR1MITR-ND
    MRF5812GR1TR
  • temperatura di esercizio
    -
  • Di rumore (dB tip @ f)
    2dB ~ 3dB @ 500MHz
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    13dB ~ 15.5dB
  • Frequenza - transizione
    5GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 50mA, 5V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200mA
  • Numero di parte base
    MRF5812

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