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1663438Immagine MRF581G.Microsemi

MRF581G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MRF581G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MRF581G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    18V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Micro-X ceramic (84C)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.25W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Micro-X ceramic (84C)
  • Altri nomi
    MRF581GMI
    MRF581GMI-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    13dB ~ 15.5dB
  • Frequenza - transizione
    5GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount Micro-X ceramic (84C)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 50mA, 5V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200mA
  • Numero di parte base
    MRF581

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