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MRF5812R2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MRF5812R2
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    MRF5812R2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    200mA
  • Tensione - Ripartizione
    8-SO
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    18V
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Resistenza - Base (R1) (ohm)
    5GHz
  • Potenza - Max
    1.25W
  • Polarizzazione
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    MRF5812R2
  • Guadagno
    2dB @ 500MHz
  • Frequenza - transizione
    50 @ 50mA, 5V
  • Tipo FET
    15.5dB
  • Descrizione espansione
    RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Descrizione
    RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    NPN

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