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5688074Immagine PMXB120EPE.Nexperia

PMXB120EPE

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMXB120EPE
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMXB120EPE.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN1010D-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    400mW (Ta), 8.3W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    3-XDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    1727-1472-1
    568-10943-1
    568-10943-1-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    309pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 2.4A (Ta) 400mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.4A (Ta)

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09/10/2024
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Pagamento
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