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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PMXB75UPEZ
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2167857Immagine PMXB75UPEZ.Nexperia

PMXB75UPEZ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMXB75UPEZ
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMXB75UPEZ.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN1010D-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    85 mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    317mW (Ta), 8.33W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    3-XDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    1727-2314-6
    568-12600-6
    568-12600-6-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    608pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 2.9A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Ta)

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09/10/2024
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