PMXB360ENEAZ

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Specifiche

Modello di prodotti

PMXB360ENEAZ
Costruttore / Marca

Nexperia
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

PMXB360ENEAZ.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DFN1010D-3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

450 mOhm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

400mW (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

3-XDFN Exposed Pad
Altri nomi

1727-1474-6
568-10945-6
568-10945-6-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "PMXB360ENEAZ".

PMXB65ENEZ

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN

Produttori: Nexperia

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