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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PMXB65ENEZ
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3450137Immagine PMXB65ENEZ.Nexperia

PMXB65ENEZ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMXB65ENEZ
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMXB65ENEZ.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN1010D-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    67 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    400mW (Ta), 8.33W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-XDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    1727-1478-2
    1727-1478-2INACTIVE-ND
    568-10949-2
    568-10949-2-ND
    934067148147
    PMXB65ENE
    PMXB65ENEZ-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    295pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.2A (Ta)

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09/10/2024
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