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Immagine SSM6J53FE(TE85L,F).

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J53FE(TE85L,F)

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Specifiche

Modello di prodotti

SSM6J53FE(TE85L,F)
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.SSM6J53FE(TE85L,F).pdf
2.SSM6J53FE(TE85L,F).pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

ES6 (1.6x1.6)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

136 mOhm @ 1A, 2.5V
Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-563, SOT-666
Altri nomi

SSM6J53FE(TE85LF)TR
SSM6J53FETE85LF
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

568pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 4V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 2.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

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