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Immagine SSM6K217FE,LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K217FE,LF

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Specifiche

Modello di prodotti

SSM6K217FE,LF
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SSM6K217FE,LF.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

ES6
Serie

U-MOSVII-H
Rds On (max) a Id, Vgs

195 mOhm @ 1A, 8V
Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-563, SOT-666
Altri nomi

SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.2V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

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