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757363Immagine SSM6K202FE,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K202FE,LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM6K202FE,LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SSM6K202FE,LF.pdf
    2.SSM6K202FE,LF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ES6 (1.6x1.6)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    85 mOhm @ 1.5A, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    SSM6K202FE(TE85LFCT
    SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
    SSM6K202FE,LFCT
    SSM6K202FE,LFCT-ND
    SSM6K202FELF
    SSM6K202FELFCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    270pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)

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