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5390639Immagine SSM6K361NU,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K361NU,LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM6K361NU,LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SSM6K361NU,LF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-UDFNB (2x2)
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    69 mOhm @ 2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-WDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    SSM6K361NU,LF(B
    SSM6K361NULF
    SSM6K361NULF(B
    SSM6K361NULFTR
  • temperatura di esercizio
    150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    430pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 3.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta)

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