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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RQ6C050BCTCR

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Immagine RQ6C050BCTCR.

LAPIS Semiconductor

RQ6C050BCTCR

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Specifiche

Modello di prodotti

RQ6C050BCTCR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RQ6C050BCTCR.pdf
2.RQ6C050BCTCR.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

36 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-95-6
Altri nomi

RQ6C050BCTCRTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

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