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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RQ6E085BNTCR

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Immagine RQ6E085BNTCR.

LAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

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Specifiche

Modello di prodotti

RQ6E085BNTCR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RQ6E085BNTCR.pdf
2.RQ6E085BNTCR.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-457
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-74, SOT-457
Altri nomi

RQ6E085BNTCRTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

32.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Tc)

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