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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RQ6C065BCTCR
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5224041Immagine RQ6C065BCTCR.LAPIS Semiconductor

RQ6C065BCTCR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RQ6C065BCTCR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RQ6C065BCTCR.pdf
    2.RQ6C065BCTCR.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSMT6 (SC-95)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    21 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.25W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SC-95-6
  • Altri nomi
    RQ6C065BCTCRDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1520pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 6.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.5A (Tc)

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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