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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RQ6E050ATTCR

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Immagine RQ6E050ATTCR.

LAPIS Semiconductor

RQ6E050ATTCR

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Specifiche

Modello di prodotti

RQ6E050ATTCR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RQ6E050ATTCR.pdf
2.RQ6E050ATTCR.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

27 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi

RQ6E050ATTCRTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

P-Channel 30V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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