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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RQ6E030ATTCR
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6760545Immagine RQ6E030ATTCR.LAPIS Semiconductor

RQ6E030ATTCR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RQ6E030ATTCR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RQ6E030ATTCR.pdf
    2.RQ6E030ATTCR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSMT6 (SC-95)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    91 mOhm @ 3A, 10V
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-74, SOT-457
  • Altri nomi
    RQ6E030ATTCRTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    240pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.4nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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